KYOTO, Japan, 31. August 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat 650-V-IGBTs der vierten Generation für elektrische Kompressoren und Hochvolt-Heizungen in Kraftfahrzeugen sowie Wechselrichter für Industrieanlagen entwickelt. Als Produkte der 650-V-Klasse für Automotive-Anwendungen erzielen die neuen IGBTs mit VCE(sat) = 1,55 V branchenweit führende* niedrige Durchlassverluste; gleichzeitig bieten sie eine hohe Kurzschlussfestigkeit und erfüllen den Zuverlässigkeitsstandard AEC-Q101 für die Automobilindustrie.

*Studie von ROHM vom 25. August 2026

Abbildung 1: Produktmerkmale  https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI1fl_XfM2m2kD.jpg

Da Elektrofahrzeuge zunehmend auf höhere Spannungen umgestellt werden, findet SiC immer häufiger in Hochleistungsanwendungen wie Antriebswechselrichtern Verwendung. Gleichzeitig werden 650-V-IGBTs in großem Umfang als Schaltgeräte in Hilfssystemen mit geringerer Leistungsaufnahme eingesetzt, darunter elektrische Kompressoren und Hochspannungsheizungen sowie in Industrieanlagen wie Motoren und Kompressoren, und es wird erwartet, dass die Nachfrage weiter steigen wird.

Diese Anwendungen erfordern größere Energieeinsparungen und kompaktere Geräteausführungen, was zu einer starken Nachfrage nach Leistungsbauelementen führt, die eine höhere Zuverlässigkeit, kleinere Abmessungen und einen höheren Wirkungsgrad bieten. Insbesondere Wechselrichter- und Heizkreise erfordern eine Kurzschlussfestigkeit, die ausreicht, um die Zeit zu überbrücken, die zur Erkennung und Unterbrechung eines Überstroms benötigt wird.

Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, hat ROHM die Bauelementstruktur, den Herstellungsprozess und die Randanschlussstruktur neu gestaltet und so IGBTs der 4. Generation entwickelt, die verlustarme Eigenschaften mit hoher Kurzschlussfestigkeit kombinieren und gleichzeitig den Anforderungen an höhere Spannungen gerecht werden. Diese Produkte erhöhen die Stromdichte und reduzieren gleichzeitig die Leit- und Schaltverluste. Trotz des Kompromisses zwischen geringeren Verlusten und Kurzschlussfestigkeit erreichen die Produkte eine Kurzschlussstandzeit von 7 Mikrosekunden bei Tj = 25 °C, was zur Verbesserung der Anwendeneffizienz und -zuverlässigkeit beiträgt.

Das Sortiment umfasst 12 Produkte im TO-247N-Gehäuse, die Serien „RGAxxTS65HR" / RGAxxTS65EHR, sowie 10 Bare-Wafer-Produkte der Serie SG83xxWN. ROHM entwickelt außerdem 12 Produkte im TO-247-4L-Gehäuse, die Serien RGAxxTR65HR / RGAxxTR65EHR.

„RGAxxTS65HR": https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?CollectorEmitterVoltage_num=650.0&PS_IgbtType=A:%20For%20inverter%20(tsc%207-10%C2%B5s)&PS_BuiltInDiode=-#epfProductSeries

„RGAxxTS65EHR": https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?CollectorEmitterVoltage_num=650.0&PS_IgbtType=A:%20For%20inverter%20(tsc%207-10%C2%B5s)&PS_BuiltInDiode=FRD#epfProductSeries

„SG83xxWN": https://www.rohm.com/products/igbt/igbt-bare-die?CollectorEmitterVoltage_num=650.0&PS_IgbtType=A:%20For%20inverter%20(tsc%207-10%C2%B5s)#productFamily

Für die Zukunft plant ROHM, das Sortiment in denselben Gehäusen weiter auszubauen und kompakte IGBTs für die Oberflächenmontage im TO-263L-Gehäuse sowie in TSC-Gehäusen (Top-Side Cooling) zu entwickeln. ROHM wird das Sortiment an Hochleistungs-IGBTs weiter ausbauen, um einen höheren Wirkungsgrad und die Miniaturisierung in Automobil- und Industriegeräten zu unterstützen.

Abbildungen: Produktportfolio diskreter Bauelemente im TO-247-N-Gehäuse https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI2fl_34OH2Okk.jpg

Abbildungen: Produktpalette diskreter Bauelemente im TO-247-4L-Gehäuse https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI6fl_76Ha3uxp.jpg

Abbildungen: Produktpalette an Bare Wafern https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI4fl_12gp0324.jpg

Informationen zur Marke EcoIGBT (TM) und zum Support: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202608194399-O1-T04yoz6p.pdf

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-08-25_news_igbt&defaultGroupId=false

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202608194399-O2-07aO23A1.pdf

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI5fl_7ltyL0G9.jpg

Offizielle Website: https://www.rohm.com/

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Silicon Saxony schärft sein Profil als europäischer Technologiestandort – und setzt dabei zunehmend auf hochspezialisierte Anwendungen. Mit dem Zukunftscluster SEMECO (Secure Medical Microsystems and Communications) startet in Dresden die zweite Förderphase für medizinische Halbleiter, während die sächsische Halbleiter- und Softwarebranche trotz schwacher Konjunktur weiter Beschäftigung aufbaut. Branchenangaben zufolge ist die Zahl der Jobs in diesem Ökosystem binnen eines Jahres um 1.500 auf rund 82.500 zum Stichtag 30. September 2025 gestiegen, ein Plus von knapp zwei Prozent gegenüber dem Vorjahr.

SEMECO entwickelt medizinische Halbleiter als Schlüsseltechnologie für sichere, vernetzte und intelligente Medizintechnik. Für die kommenden drei Jahre erhält der Cluster im Rahmen der Clusters4Future-Initiative des Bundesministeriums für Bildung und Forschung (BMBF) bis zu 15 Millionen Euro Fördermittel. Der Freistaat Sachsen begleitet das Bündnis seit Beginn und unterstützt zusätzliche regionale Forschungs- und Entwicklungsprojekte über die EFRE-Technologieförderung 2021 bis 2027. Seine aktuellen Entwicklungen präsentiert SEMECO auf den Silicon Saxony Days, die vom 15. bis 17. Juni 2026 in Dresden stattfinden sollen.

In der zweiten Förderphase richtet SEMECO den Fokus stärker auf standardisierbare medizinische Halbleiterplattformen und deren Transfer in industrielle und klinische Anwendungen. Die spezialisierten Mikrosysteme bündeln Sensorik, Datenverarbeitung, sichere Kommunikation und KI-gestützte Funktionen, zugeschnitten auf Anforderungen der Medizintechnik. Auf Basis eines modularen Plattformansatzes entstehen kombinierbare Halbleiter-, Elektronik- und Softwarekomponenten, die sich sicher integrieren und schrittweise weiterentwickeln lassen. KI-gestützte Methoden sollen zudem Zertifizierung und Zulassung unterstützen und damit den Technologietransfer in die medizinische Praxis beschleunigen – von tragbaren Ultraschallgeräten und intelligenten Vitaldatensensoren bis zu Kommunikationsimplantaten für Menschen mit eingeschränktem Hör- und Sprachvermögen.

Parallel dazu sieht der Branchenverband Silicon Saxony den gesamten Standort vor einer neuen Wachstumsphase. Das jüngste Beschäftigungsplus verteilt sich nach Verbandsangaben nahezu gleichmäßig auf Halbleiterindustrie und Softwarebranche. Die Investitionen der vergangenen Jahre entfalteten zunehmend Wirkung, sagte Frank Schönefeld, Vorsitzender des Präsidiums von Silicon Saxony. Vor dem Hintergrund der gesamtwirtschaftlich schwachen Lage unterstreiche die Entwicklung die langfristige Attraktivität des Standorts. Entlang der gesamten Wertschöpfungskette – von großen Fabrikprojekten bis zu mittelständischen Zulieferern für Reinraum- und Fabrikinfrastruktur, Spezialgase, Chemikalienversorgung und Messtechnik – rechnet der Cluster mit zusätzlichen Impulsen durch Künstliche Intelligenz, Digitalisierung und technologische Souveränität. Die Prognose von mehr als 100.000 Beschäftigten bis zum Ende des Jahrzehnts bleibt aus Sicht des Verbands unverändert bestehen.